Plan: Tid for skifte

نویسندگان

چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

TID Effect in SOI Technology

In this paper, a brief overview of TID effect in SOI technology is presented. The introduction of buried oxide(BOX) adds vulnerability to TID effect in SOI transistors because of its large thickness. Also the BOX introduces special charge traps, the delocalized spin centers, which in most cases are positive. The charge buildup in BOX could increase the leakage current in front gate transistor i...

متن کامل

TiD - Documentation of TOBI Interface D

4 TiD Message 2 4.1 Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 4.2 Version . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 4.3 Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....

متن کامل

Care Plan for the Upset Relatives

مرگ فرزند بزرگترین و عمیق ترین اندوه در زندگی فرد بوده و وسیعترین واکنشها را در وجود آدمی بر می انگیزد. از دست دادن یک فرزند می تواند باعث ناراحتکننده ترین و طولانی ترین سوگواری گردد. چنین والدینی، فرزند و شیوه زندگی و همچنین امید به زندگی آینده را از دست خواهند داد. والدین اغلب در هنگام مصیبت احساس انزوا می کنند. دوستان، بستگان و همسایگان نمی دانند چه بگویند یا چگونه کمک کنند به همین دلیل از ...

متن کامل

A Lightweight Protocol to Robust TID-Based Anti-Counterfeiting

Electronic Product Code (EPC) Radio Frequency IDentification (RFID) tags support a costeffective anti-counterfeiting mechanism through the tag-specific and globally unique Transponder ID (TID). However, with the existence of customizable tags, this countermeasure could easily be bypassed as long as the TID codes are leaked through either physically opening genuine tags or unauthorizedly breachi...

متن کامل

TID, SEE and Radiation Induced Failures in Advanced Flash Memories

We report on TID and SEE tests of multi-level and higher density flash memories. Stand-by currents and functionality tests were used to characterize the response of radiation-induced failures. The radiation-induced failures can be categorized as followings: SEU read errors during irradiation, stuck-bit read errors verified post-irradiation, write errors, erase failures, multiple upsets, and sin...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Plan

سال: 2017

ISSN: 1504-3045,0805-083X

DOI: 10.18261/issn1504-3045-2017-06-01